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Ga:ZnO晶体基片
- 产品概述：
- II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数
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晶体结构: | 六方 a=3.252A , c=5.313A | 生长方法: | Melt | 硬度: | 4 mohscale | 密度: | ~5.0g/cm3 | 熔点: | 1975oC | 带隙: | 3.37eV | 比热容: | 0.125cal/gm | 传导性: | N type | 电阻率: | 0.04ohm-cm +/- factor of 2 , N type | 导热系数: | 0.006cal/cm/ oK | 热膨胀系数: | 2.90x10-6/oK | 位错密度: | <4x104/cm2 | 表面粗糙度: | <5A | 厚度: | 0.35mm; 0.50mm and 1.0mm |
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| 产品规格
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Ga:ZnO <0001> N+ type，镓掺杂，10x10x0.5mm、锌面抛光； Ga:ZnO <0001> N+ type，镓掺杂，5x5x0.5mm、锌面抛光 ； 注：可按照客户要求加工尺寸及方向。 |
| 标准包装
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1000级超净室100级超净袋 |
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