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等离子磁控溅射镀膜仪系列
- 关键字：
- 射频/直流可选 1/2英寸靶头可选 单靶 靶台MAX500 ℃
- 型号：
- VTC-1RF/2RF/2DC
- 产品概述：
- 等离子磁控溅射系统，可涂覆非金属（主要是氧化物）薄膜。集成式组件，包括RF电源，石英真空室等。适用于在研发中溅射非导电或氧化物材料的薄膜。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品提示
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1、多种配件可选提示 2、特殊设备尺寸设备 3、科晶实验室邀请提示 4、配件妥善保管提示 |
| 名称
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• 1英寸100W射频磁控溅射镀膜仪 | • 2英寸300W射频磁控溅射镀膜仪 | • 2英寸500W直流等离子磁控溅射镀膜仪 |
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| 型号
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• VTC-1RF | • VTC-2RF | • VTC-2DC |
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| 主要参数
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• 输入电源：220V AC 50/60Hz • 最高使用功率：100W • 靶头数量：单个1英寸磁控溅射靶 • 设备功率：800W（包括真空泵） • 样品台加热温度：500℃ | • 输入电源：220V AC 50/60Hz • 整机功率：1000W（包括真空泵） • 射频电源最高使用功率：300W • 靶头数量：单个2英寸磁控溅射靶头 • 样品台加热温度：500℃ | • 输入电源：220V AC 50Hz • 输出电压：600 VDC • 输出功率：最大500W • 整机功率：1200W（包括真空泵） • 样品台加热温度：500℃ |
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| 溅射头&样品台
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• 一个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接 • 仪器中安装有直径为50mm的不锈钢可旋转样品台，其与溅射头之间距离可调 • 溅射头角度可调 • 样品台可加热，加热温度室温-500℃ • 安装有一可手动操作的挡板 • 最大可制膜的直径为:4英寸 • 可以单独订购RF连接线作为备用 • 设备包含一台水冷机，用于靶头冷却
| • 一个2英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接 • 仪器中安装有直径为50mm的不锈钢可旋转样品台，其与溅射头之间距离可调 • 样品台可加热，加热温度室温-500℃ • 安装有一可手动操作的挡板
| • 仪器中安装有直径为50mm的不锈钢样品台，其与溅射头之间距离可调 • 样品台可加热，加热温度RT-500℃（RT为室温） • 安装有一可手动操作的挡板 • 最大可制膜的直径为:2英寸（标配2英寸，如果需要更大尺寸请与我们销售联系）
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   图一 图二 图三   图四 图五
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| 溅射电源
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设备有两种射频电源可选分别为： • 300W自动匹配射频电源 • 100W的手动匹配射频电源
 
| 该设备有一种直流电源可选： • 直流电源DC 500W |
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| 靶材
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• 靶材尺寸要求：Φ50mm×(0.1-3) mm(厚度) 
| • 靶材尺寸要求：Φ50mm×(0.1-5)mm(厚度) 
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| 溅射腔体
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• 采用石英腔体，尺寸：166 mm OD×150 mm ID×250 mm H • 密封法兰:直径为174 mm，采用金属制作，密封采用O形密封圈
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| 真空系统
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• 安装有KF25真空接口 • 数字真空压力表（Pa） • 此系统运行可通入气体运行（可在本公司选购各种真空泵） （1）采用机械泵<1.0E-2 Torr（参考值，详情请点击） （2）采用涡旋分子泵<1.0E-5 Torr（参考值，详情请点击）
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| 产品外形及尺寸
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• 550*550*1100（长*宽*高） |
| 进气
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• 设备上配1/4英寸进气口方便连接气瓶 • 设备前面板上装有一气流调节旋钮，方便调节气流
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| 薄膜测厚仪（可选）
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• 可在本公司选购薄膜测厚仪安装在溅射仪上    |
| 质保
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• 一年保修，终身技术支持。 • 特别提示： 1.耗材部分如加热元件，石英管，样品坩埚等不包含在内。
2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。
点击查看售后服务承诺书
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| 认证
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·此产品已通过CE认证 证书编号：M.2021.206.C67994 ·若客户出认证费用，本公司保证单台设备通过德国TUV认证或CAS认证 
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实验室参考案例 |
科晶实验室用此设备做出的部分结果，以供您参考。详细信息，请点击我们的实验报告
溅射氧化锌薄膜 基底采用：蓝宝石（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ1”×2.5mm高纯ZnO陶瓷靶 
XRD薄膜高分辨图 | 溅射ITO薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高纯ITO靶 功率：260W 
EDS元素成分定性、定量分析图 | 溅射Mg薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高纯Mg靶 功率：80W 
EDS元素成分定性、定量分析图
| 溅射Sc薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高纯Sc靶 功率：100W 
EDS元素成分定性、定量分析图 | 溅射Pd薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高纯Pd靶 功率：100W 
EDS元素成分定性、定量分析图
| 溅射Ti薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高纯Ti靶 功率：100W 
EDS元素成分定性、定量分析图 | 溅射Mo薄膜
基底采用：Si（多晶硅）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×0.5mm高纯Mo靶 功率：90W 
XRD薄膜高分辨图 | 溅射Pt薄膜
基底采用：Si（多晶硅）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高纯Pt靶 溅射方式：直流溅射 
XRD薄膜高分辨图 | 溅射CoFeB（钴铁硼）薄膜 基底采用Si（多晶硅）基片（5*5*1mm3）
靶材采用：φ2“×0.6mm高纯CoFeB靶
预溅射：80w 50mtorr 10min
溅射：180w 20mtorr 30min 
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更多参数请联系科晶实验室 实验案例照片（点击大图查看详情）
氧化锌 |
ATO |
ITO |
碲化铋 |
铂 |
金 |
银 |
铜 |
铝 |
镁 |
 
钼 |
 
铂 |
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应用技术提示 | 1、为了保证溅射效果，非导电靶材必须安装铜垫块
2、有时为了达到理想的薄膜厚度，可能需要多次溅射镀膜 3、为了得到较好的薄膜质量，必须通入高纯气体（建议> 5N） 4、在溅射镀膜前，确保溅射头、靶材、基片和样品台的洁净 5、要达到薄膜与基底良好结合，请在溅射前清洁基材表面 6、在分子泵出口安装有一个可手动操作的挡板 超声波清洗：（1）丙酮超声（2）异丙醇超声-去除油脂（3）吹氮气干燥（4）真空烘箱除去水分。 等离子清洗（详细参数点击下面图片）：可表面粗糙化，可激活表面化学键，可祛除额外的污染物。 制造一个薄的缓冲层（5纳米左右）：如Gr，Ti，Mo，Ta，可以应用于改善金属和合金的附着力。 |
警示 | 注意：产品内部安装有高压元件，禁止私自拆装，带电移动机体。
1、1英寸靶头最大使用功率为100W 2、2英寸靶头最大使用功率为300W 3、气瓶上应安装减压阀（设备不包括），保证气体的输出压力限制在0.02兆帕以下，以安全使用。 4、溅射头连接到高电压。为了安全，操作者必须在关闭设备后才能进行装样和更换靶头等操作。 5、请勿在易燃易爆气体环境下使用该设备 6、请勿在潮湿的环境下使用该设备 7、机体上禁止放置茶杯等装有液体的器物 8、禁止仪器通电状态下去拔插电源插头 |
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如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
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皖公网安备 34012302000974号
