双炉体滑动PECVD系统&循环手套箱
型号:
OTF-1200X-PESDFG-50
产品概述:
OTF-1200X-PESDFG-50是一款双炉体滑动的PECVD系统,连接循环手套箱。此款设备中石英炉管与循环手套箱连接,可利用CVD方法,将样品处理后直接移入到气氛保护环境下的手套箱中。炉体采用滑动式,可在实验室中对样品进行快速加热和快速冷却。此款仪器特别适合新一代纳米材料和二维晶体材料的探索研究。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
设备名称

双炉体滑动PECVD系统&循环手套箱—OTF-1200X-PESDFG-50 (2019.12.18—科晶实验室审核)

产品提示

1、多种配件可选提示   2、特殊设备尺寸设备   3、科晶实验室邀请提示   4、配件妥善保管提示

产品特点

▪ 真空法兰在手套箱的左边,与PECVD系统的石英管连接;

▪ 两个炉体在一个滑轨上,可通过炉体的滑动达到对样品快速加热和快速冷却的效果。

加热炉参数

▪ 连续工作温度:1100℃

▪ 两个炉体都可设置50段升降温程序

▪ 高纯氧化铝纤维作为炉膛材料(表面涂有高温氧化铝涂层,可提高加热效率延长炉膛使用寿命)

▪ 电源:AC220,50Hz   最大功率:3KW


加热炉图.jpg       温控仪表.JPG



更多参数请联系科晶销售部

手套箱参数

▪ 带有除水系统:保持水含量< 2 ppm

▪ 真空法兰在手套箱的左边,与PECVD系统的石英管连接


手套箱照片.jpg

射频电源

▪ 科晶公司现有不同功率的射频电源可供选择,以满足不同实验条件的需求。



300W射频电源

500W射频电源

100W射频电源

输出功率

0-300W可调

(稳定性:±1%)

0-500W可调

(稳定性:±1%)

0-100W可调

(稳定性:±1%)

射频频率

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

匹配

自动匹配

自动匹配

手动匹配

噪音

<50dB

<50dB

<50dB

冷却方式

风冷

风冷

风冷

输入电压

AC180-250V

AC108-250V

AC110-240V

图片

图片2.jpg 

图片3.jpg 

图片4.jpg
真空系统

▪ 采用TRP-12的双旋真空泵;

▪ KF25卡箍及波纹管用于连接管式炉与真空泵;

▪ 真空度可达10-2Torr。


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供气系统

▪ 四通道质子流量计控制系统可实现气体流量的精确控制(精确度:±0.02%);

▪ 流量范围:


一路

0-100 sccm

二路

0-200 sccm

三路

0-200 sccm

四路

0-500 sccm


▪ 电压:208-240V, AC, 50/60Hz;

▪ 气体进出口配件:6mm OD的聚四氟管或不锈钢管;

▪ 不锈钢针阀用于手动控制气体进出;

▪ PLC触摸屏可以简便地进行气体流量设置。


图片6.jpg      图片7.jpg

产品尺寸

▪ 炉体尺寸:1600mm(L) ´430mm (W) ´ 500mm(H)

▪ 手套箱尺寸:780mm(L)´ 700mm(W) ´ 650mm(H)

炉子尺寸.jpg    手套箱尺寸图.jpg

认证

▪ 如您另外付费,我们可以保证单台仪器的TUV(UL61010)或CSA 认证


图片1.png

承诺

▪ 一年质保期,终身维护(不包括炉管、硅胶密封圈和加热元件)

科晶应用技术实验室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)条件下沉积Sb2Se3薄膜,实验结果如下:


图片1.jpg


组别

SEM结果

元素百分比



Sb (%)

Se(%)

未经任何处理的样品

1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

等离子体处理

3.jpg

4.jpg

41.04

58.96

等离子体处理 min

5.jpg

6.jpg

41.64

58.36

等离子体处理5 min

7.jpg

8.jpg

41.86

58.14

小结:

(1)等离子体能改变Sb2Se3薄膜的形貌,同时改变Sb2Se3的组成;

(2)随着射频电源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。





组别

SEM结果

元素百分比



Sb (%)

Se(%)

10W、条件下沉积Sb2Se3

1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

75W、条件下沉积Sb2Se3

3.jpg

4.jpg

70.28

29.72

75W、3Pa且补充0.1g Se粉沉积Sb2Se3

5.jpg

6.jpg

43.13

56.87

75W、且补充2粉末(10%质量比Sb2Se3)沉积Sb2Se3

7.jpg

8.jpg

Sn: 22.78 Sb: 25.77

51.44

小结:

(1)低功率等离子体条件下可得到近原子比的Sb2Se3;

(2)高压条件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;

(3)添加Se会破坏PECVD沉积的Sb2Se3的原子比;

(4)当SnSe2质量比为10%时,可以得到Sb:Sn摩尔比接近于的薄膜,该方法适用于掺杂。


XRD结果


图片2.jpg


pecvd.png


警示

▪ 炉管内气压不可高于0.02 MPa;

▪ 由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全;

▪ 石英管的长时间使用温度<1100℃;

▪ 当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态;

▪ 此手套箱并非为高真空设计,真空度过高会使手套箱变形;

▪ 橡胶手套不可以在真空状态下操作,真空处理是为了去除手套箱内的水和氧;

▪ 最大正压:1.1 atm(注意:如果手套箱内的气压高于1.1atm时,不可以操作橡胶手套)。

应用技术提示

▪ 通入炉内气体流量需小于200 sccm,以避免冷的大气流对加热石英管造成冲击;

▪ 加热时,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02 MPa,需立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂、法兰飞出等)。

防腐型真空表

(可选)

▪ 输入电源24V,1A  DC(配有电压转换器);

▪ 测量范围3.8´10-5-1125 Torr;

▪ 数据显示:数显(屏幕尺寸为20´14mm),其单位为torr

▪ 连接:1/8"NPT 接头

▪ 产品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L´W´ H)


配件压力表.jpg

炉管

高纯石英管,尺寸50mm O.D ´44mm I.D ´1800 mm L


配件炉管.jpg

温仪表

(可选)

▪ 单回路、双回路和三回路控制模式;

▪ 每个回路可实现双输入,双保护;

▪ 各回路可PID、串级、比率等回路控制;

▪ 数码显示,配备7个按键,可用于进行各控制回路的切换和参数修改;

▪ 最多可存储50个程序,每个程序最多可有3个不同的设定值(即3条不同的曲线),最多可设置500段升降温程序;

▪ 通讯方式多样,Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通讯接口,可连接PC进行远程控制。

图片1.jpg

真空系统

(可选)

▪ 科晶公司提供一系列低真空、高真空及进口高真空设备,以满足在不同真空条件下的实验需求。


低真空系统

国产高真空系统

进口高真空系统

低真空系统.png

高真空.jpg

进口高真空.png

                   

供气系统

(可选)

▪ 科晶公司提供各种通道浮子、质子流量计可供选择,以实现气体流量的精确控制。


单通道浮子

单通道质子

两通道浮子

两通道质子

多通道浮子

(防腐)

1通道浮子.jpg

1通道质子.jpg

2通道浮子.JPG

2通道质子.jpg

3通道浮子(防腐).jpg


公司环境

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合肥科晶品牌纪录片                                     公司环境

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