1700℃小型精确控温 蒸发镀膜仪
关键字:
CSS、CVD
型号:
GSL-1700X-SPC-2
产品概述:
GSL-1700X-SPC-2是一款小型台式程序控温蒸发镀膜仪,可以设定程序,精确控制温度200ºC~1500ºC(或者1200ºC~1700ºC),样品台可旋转以获得更均匀的薄膜,可制备各种金属薄膜和有机物薄膜。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
设备名称

1700℃小型精确控温蒸发镀膜仪--GSL-1700X-SPC-2 (2019.11.25—科晶实验室审核)

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安装视频

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拆卸装置视频


产品提示

1.科晶实验室邀请提示  2.图片未及时更新提示  3.多种配件可选提示 

主要特点

·直径6英寸的石英腔体,便于清洁和放入样品。

·安装有一个2英寸的样品台,并且样品台可以旋转,使所制薄膜更加均匀。

·样品台和蒸发源之间的距离可以调节

·气体流量端口和阀门内置可用于腔室净化和CVD实验。

·采用钨丝加热


样品台旋转.gif  距离可调.gif  样品放置.gif  工作状态.gif  


基本参数

·控温方式:手动控温/程序控温

·控温精度:+/-1℃

·腔体真空度:5*10^-3Pa(表压只能显示到 1*10^-1Pa)   

·样品室:石英腔体:167mm OD. x 152mm ID x 260mm H

·基片:可装载基片最大尺寸为 50mm

·输出电压:DC 18V             

·最大输出电流:≤30A 正常蒸发电流:≤25A

·输入电源:AC 220V 50HZ/60HZ

·输入功率:600W(不包含真空系统)

·最高使用温度:1500


更多参数请联系科晶销售部

温控及加热源

·采用钨丝篮作为发热源,并且配有专用的氧化铝坩埚,热电偶安装在坩埚底部,以便于温度测量和控制。(图1)

·采用S型热电偶(工作温度为200℃-1500℃)(图2)

·可选B型热电偶(工作温度为1200℃-1700℃)

·安装有一个数显的温度控制器:可设置30段升降温程序,控温精度为+/- 1ºC(图3)

·温度控制器的时间设置以秒为单位,建议将升温/降温速率限制在1200ºC以下0.3ºC/s(20ºC/ min),在1200 - 1500ºC限制到0.15ºC/s(10ºC/min)

·仪器中配有钨丝篮及氧化铝坩埚(图4、图5)


技术参数-2.jpg  技术参数-3.jpg  技术参数-4.JPG  技术参数-5.jpg  技术参数-6.jpg

        图1                 图2                     图3                    图4                  图5

进气口

·进气接口为1/4NPS,可向真空腔体中通入惰性气体,对腔体进行清洗,也可通入反应气体,进行反应蒸发镀膜

·进气口安装有一针阀,用于调节进气流量


皮拉尼真空计

· 安装位置:室内或空旷的露天楼宇及工作室;

· 温度:5-60℃;

· 湿度:30℃环境下≤80%  40℃环境下≤50%无冷凝气体;

· 环境大气压:860-1060mbar。

   image.png

真空泵(选配)

· 型号:VRD-8

· 电源  AC 220V 50/60 Hz

· 功率:400W

· 进排气连接口:KF25

· 抽气速率:8 m³/h

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尺寸

540*400*710mm(长*宽*高)


image.png   技术参数-8.jpg   2.jpg

重量

40 kg

认证

·此产品已通过CE认证

  证书编号:M.2021.206.C67994

·若客户出认证费用,本公司保证单台设备通过德国TUV认证或CAS认证

技术参数-9.png

质保

一年质保期,终生维护

特别提示:1.耗材部分如加热元件,石英管,样品坩埚等不包含在内。

         2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。

使用GSL-1700X-SPC-2设备在Si片上蒸镀Cu,探索设备蒸镀膜厚最大及最小值。

实验过程:

图片1.jpgIMG_20200706_131016.jpg

1设备                      图2蒸发料

原料:铜段(蒸发料,铜导线内芯),Si基底(酒精超声清洗30min,后使用去离子水超声清洗30min,真空烘箱70℃烘干)。使用分子泵抽真空,待真空度到达100时,利用氮气对腔室进行洗气三至四次。洗气结束,待分子泵抽真空至10-4Torr,开始给炉子加热,升温曲线0.6℃/s,升温至相应温度,玻璃罩出现金属色后打开挡板蒸镀。

实验结果如下

目的

组别

蒸镀条件

(温度、时间)

镀膜前

镀膜后

膜厚

最薄

1

125010s

IMG_20200703_154312.jpg

图片4.jpg

IMG_20200707_112157.jpg

2

120010s

图片5.jpg

IMG_20200707_101952.jpg

IMG_20200707_131347.jpg

3

12003s

IMG_20200707_103330.jpg

IMG_20200707_155256.jpg

IMG_20200707_160914.jpg

最厚

4

120060min

IMG_20200708_082434.jpg

IMG_20200708_134035.jpg

图片2.jpg

5

120030min

IMG_20200708_144242.jpg

IMG_20200709_155948.jpg

图片3.jpg

结论

1GSL-1700X-SPC-2设备在Si基底上镀Cu,最薄(膜厚仪可检测)可蒸镀至14.8nm

2GSL-1700X-SPC-2设备在Si基底上镀Cu,最厚(起皮前)可蒸镀至37.72μm

特别声明:

1. 以上所有实验仅为初步探究,仅供参考。由于我们水平有限,错误疏漏之处欢迎指出,我们非常期待您的建议。

2. 欢迎您提出其他实验思路,我们来验证。

3. 以上实验案例及数据只针对科晶设备,不具有普遍性。

4. 因为涉及保密问题,以上数据仅为部分数据,欢迎老师与我们联系,我们非常期待和您共同探讨设备的应用技术。


应用提示

·使用前要检查密封圈和法兰上是否有异物或划痕,并用酒精擦洗。

·抽真空时,用外部加热装置将腔体烘烤到200℃,氧化铝坩埚预加热到500℃,保持2小时。

·如误将控温仪表设为手动状态,程序将不能正常运行。

·如果用户选配了STC-2型薄膜测厚仪,在选用取样片时请按:镀纯金属时用金取样片,镀合金时用银取样片。

·钨丝蓝必须在真空状态下(<5Pa)才能通电加热,否则会被氧化。

·蒸镀仪标配热电偶型号为“S”型热电偶,如需加热到 1500℃以上,则需更换“B”型热电偶。

·当所需要蒸镀的物料会与氧化铝坩埚产生反应,则需将氧化铝坩埚换成氧化铝通孔坩埚。然后在通孔坩埚上再放上一个不锈钢异形坩埚(注意:加热不锈钢坩埚时,温度不能超过1100℃)。用户可额外选购钨丝篮及氧化铝坩埚。(图1、2)

应用警示-1.jpg    应用警示-2.png

 图1                    图2

警示

·蒸镀仪在工作中严禁旋开试样室充气阀充气、关闭真空泵。

·蒸镀电流不宜大于 20A。

·蒸镀仪一般工作温度不得超过 1500℃(长时间工作温度),最高温度 1600℃ (工作时间不超过 30 分钟)。

·此设备仪表程序时间为秒,200℃之前升温速度不宜大于 0.5 度/秒。


相关可选

·可选用真空系统配套使用:分子泵真空度可达 10E-4 torr。(图1)

·如果使用腐蚀性气体,请使用冷阱或防腐干泵。(图2)

·可选购一数显防腐真空计,测量范围为:3.8x10^-5-1125Torr。(图3)

·可在本公司选购精密的石英振动薄膜测厚仪安装在溅射仪上,可实时监测薄膜的厚度,分辨率为0.10 Å。(图4、5)同时可选购反射光谱薄膜测厚仪--TFMS-LD(图6)

·此款蒸镀仪可以放入到手套箱里操作,用于蒸镀一些在常温下对氧气敏感的材料,比如金属Li等,可在本公司选购开启式手套箱VGB-6。(图7)


配件详情-1.jpg 配件详情-2.jpg 配件详情-3.jpg  配件详情-4.png

   图1                图2                  图3                 图4


配件详情-5.png    配件详情-6.png   配件详情-7.jpg

   图5                  图6                  图7


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